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光学

イメージングエリプソメーター(反射屈折系)

かって半導体チップの検査,計測用に分光式イメージングエリプソメータを検討していたので、その記録。

波長範囲:200~900nm

撮像範囲:約20mm□ (ダイサイズに相当)

測定時間:数秒以下

入射角:約70度

斜め方向から画像を取得するので、シャインプルーフ(Scheimpflug)系となり、撮像カメラをあおる必要がある。

NAを小さくする必要があるため、光学系は非常に暗い。そのためスループットを得るには超高輝度光源(例えばLDLS:レーザー励起プラズマ白色光源)を用いる必要がある。

下図は、反射屈折光学系(Catadioptric系)による設計例

イメージングエリプソメータ(反射屈折光学系)
解像度曲線(OTF)

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